8月10日消息，近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù)PCWorld報道，鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB，其目標(biāo)市場為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。

鎂光認(rèn)為智能手機對內(nèi)存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年之內(nèi)智能手機的內(nèi)存容量可能會達到如今PC的水平，具體來說，大概在2020年就會觸及1TB。不過，這家公司并未透露自家用于移動設(shè)備3D閃存芯片的發(fā)展路線圖。

與傳統(tǒng)的2D NAND水平排布儲存單元不同，3D NAND使用垂直的方式排布儲存單元，這種方式既能擁有更高的容量，又能讓芯片間的通訊變快。

3D NAND閃存芯片技術(shù)并非鎂光獨有，英特爾和三星都已經(jīng)在SSD上應(yīng)用了這種技術(shù)，相關(guān)產(chǎn)品的容量只會越來越大。