2.為何三星的14nm會輸給臺積電16nm?

A。三星半導(dǎo)體制程技術(shù)超越臺積電的始末:

三星電子在半導(dǎo)體制程技術(shù)，過去曾被臺積電董事長張忠謀稱為「雷達(dá)上一個小點(diǎn)」，但三星卻已在2014年12月初，開始量產(chǎn)14nm FinFET技術(shù)的芯片，領(lǐng)先臺積電至少半年，震驚整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。三星在半導(dǎo)體制程技術(shù)大躍進(jìn)的關(guān)鍵與臺積電研發(fā)部戰(zhàn)將梁孟松離職轉(zhuǎn)戰(zhàn)南韓三星有密切關(guān)系。

梁孟松是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，在臺積電的十七年間，戰(zhàn)功彪炳，是臺積電近五百個專利的發(fā)明人，負(fù)責(zé)或參與臺積電每一世代制程的最先進(jìn)技術(shù)。梁孟松的強(qiáng)項之一正是臺積電與三星激烈競爭的FinFET技術(shù)，這與其恩師與博士指導(dǎo)教授，正是FinFET發(fā)明人~胡正明教授有關(guān)。由于對于調(diào)任「超越摩爾定律計劃」的安排不滿，梁孟松選擇在2009年投奔敵營。原本三星產(chǎn)品技術(shù)源自IBM，在粱孟松指導(dǎo)協(xié)助下，三星的45nm、32nm、28nm世代，與臺積電差異快速減少。

根據(jù)臺積電委托外部專家制作的一份「臺積電/三 星/IBM產(chǎn)品關(guān)鍵制程結(jié)構(gòu)分析比對報告」，三星幾個關(guān)鍵制程特征與臺積電極為類似，雙方量產(chǎn)的FinFET產(chǎn)品單純從結(jié)構(gòu)分析可能分不出系來自三星公司或來自臺積電公司。因此，臺積電認(rèn)定「梁孟松應(yīng)已泄漏臺積電公司之營業(yè)秘密予三星公司使用」，并提起法律訴訟。二審法院法官同意臺積電的要求，「為了防止泄漏臺積電的營業(yè)秘密」，梁孟松即日起到2015年12月31日止，不得以任職或其他方式為三星提供服務(wù)，梁孟松已上訴最高法院。另外一方面，臺積電找回兩度退休的臺積電研發(fā)大阿哥蔣尚義為董事長顧問，目標(biāo)能讓臺積電7納米做到全世界最領(lǐng)先。

B。三星FinFET的效能與良率為何輸給臺積電:

三星A9處理器不但在效能與電池續(xù)航力輸給臺積電，媒體報導(dǎo)三星與格羅方德合作A9芯片良率僅有30%，遠(yuǎn)落后于臺積電。三星電子在網(wǎng)羅臺積電前研發(fā)大將及其部屬下，關(guān)鍵制程技術(shù)源自于臺積電并領(lǐng)先使用更先進(jìn)的制程，但為何卻在實際使用的效能與良率輸給臺積電?

相較于臺積電的芯片制程是按部就班由28nm > 20nm Planner > 16nm FinFET演進(jìn)而來，三星則是由32nm/28nm Planner技術(shù)直接跳階到14nm FinFET技術(shù)。由于半導(dǎo)體FinFET技術(shù)與過去2D平面技術(shù)的經(jīng)驗不同， FinFET無論在制程、設(shè)計、IP與電子設(shè)計自動化(EDA)工具各方面都必須經(jīng)過克服眾多挑戰(zhàn)才能成熟，就結(jié)果論來看，三星似乎尚未能成熟駕馭FinFET這項新技術(shù)，尤其是良率與漏電控制上。三星雖然挖走了臺積電FinFET技術(shù)的戰(zhàn)將，但高階主管通常只記得大方向，防漏電及改善良率的苦功則還是要仰賴基層大量、高素質(zhì)且年輕的肝堆砌而來，這目前仍是臺積電的強(qiáng)項。兩家公司產(chǎn)品的效能的差異，以跑步來舉例，三星雖然速度優(yōu)于臺積電，但跑起來卻老是蛇行，最終還是輸給直行的臺積電。

不過，話雖如此，三星A9的效能仍是通過Apple的認(rèn)可，不是三星A9的效能不好，而是臺積電做得太好?；诔杀镜目剂颗cApple過去的風(fēng)格，三星仍在A9處理器訂單爭奪上占了上風(fēng)。雖然臺積電暫時透過法律途徑暫時讓梁孟松無法正式在三星任職，但關(guān)鍵人才遭挖角導(dǎo)致原本技術(shù)的落差鴻溝被彌平的傷害已經(jīng)造成，臺積電仍將面臨三星與中國很大的挑戰(zhàn)與嚴(yán)酷考驗。臺積電如何善用蔣尚義的指導(dǎo)及過去數(shù)十年累積的經(jīng)驗與基礎(chǔ)盡早讓臺積電7nm做到全世界最領(lǐng)先，將是臺積電擺脫三星纏斗之道。